Время работы
Главная » Каталог » Вакуумное напыление » Установка вакуумного напыления M-RAY V1S
Установка вакуумного напыления

M–Ray V1S

Предназначена для магнетронного напыления на керамические, кремниевые и любые плоские (толщина не более 30 мм) подложки размером до ∅150 мм, (максимальные размеры обрабатываемых изделий 150×350 мм). Магнетроны (от 1 до 4-х шт.) устанавливаются внутри барабана. Мишени магнетронов располагаются вертикально, материал напыляется на внутреннюю сторону носителей, вращающихся на барабане. Установка комплектуется магнетронами от одного до четырёх штук для распыления любых материалов, например, резистивные сплавы, Cu, Cr, Ni, Al и т.п.

Отправить запрос
План камеры
Габаритный чертёж
Габаритный чертёж

ОПИСАНИЕ:

Установка имеет цилиндрическую камеру, внутри которой находится вращающийся барабан, предназначенный для загрузки на него обрабатываемых изделий. Внутри барабана установлены 4 магнетронных распылителя, источник ионов и два нагревателя. Для отпыливания мишеней магнетронных распылителей имеется двухпозиционная заслонка, которая попарно закрывает магнетроны. Для удобства обслуживания внутрикамерного пространства, камера поднимается вверх с помощью гидроподъемника и поворачивается на 180 градусов.
На установке используется система охлаждения с замкнутым внутренним контуром, вода в котором охлаждается внешней оборотной водой через теплообменник. Температура воды автоматически поддерживается немного выше температуры окружающего воздуха, что позволяет избежать конденсации атмосферной влаги на элементах конструкции. Внешняя оборотная вода при отсутствии тепловой нагрузки не расходуется.

Варианты загрузки изделий:

  • подложек 60*48мм – 111 шт.
  • подложек ø100мм – 28 шт.
  • подложек ø150мм – 7 шт.
  • Способ загрузки изделий: ручная загрузка через дверь камеры на носителях

Технологические устройства:

  • Магнетрон до 4 шт.
  • Источник ионов 1 шт.
  • Нагреватели 2 шт. 

Измерительные системы:  

  • Датчик температуры, установлен на барабане 1 шт.
  • Датчик сопротивления (свидетель), установлен на барабане 1 шт.

Установка магнетронного напыления

Установка магнетронного напыления, являющаяся источником генерации СВЧ–колебаний, используется для нанесения тонких пленок на подложку посредством катодного распыления мишени. 


Такая технология широко применяется с целью многослойного нанесения металлов и диэлектриков на дисперсные и твердые образцы за один цикл. Также она позволяет осуществлять серийное производство высокотехнологичной продукции, успешно решать различные производственные и исследовательские задачи. Во время распыления поверхность катода бомбардируется ионами, распыляющими ее. За счет того что распыленное вещество попадает на мишень и затем осаждается на подложку, оно формирует плотную пленку. Процесс может выполняться в автоматическом режиме с сохранением и воспроизведением последовательности технологических процессов.

Установка ионно–лучевого напыления

Установка ионно-лучевого напыления, функционирующая в условиях вакуума, используется для осаждения тонких пленок посредством использования пучка ионов с положительным зарядом. 


Благодаря особенностям оборудования удается осуществлять независимый контроль над потоками ионов и энергией пучка. Для этого процесса характерно низкое давление. В результате можно работать с различными материалами, при этом стехиометрия будет хорошо контролируемой. Еще одно несомненное преимущество заключается в сокращении числа посторонних включений в осаждаемых пленках. Оборудование помогает проводить осаждение высококачественных оптических материалов на очень гладких поверхностях. Есть возможность нанесения покрытия на термочувствительную подложку. Также можно выполнять реактивные и нереактивные операции в одной и той же камере без необходимости в перенастройке. С помощью данной технологии удается получать покрытия без эффекта дрейфа под воздействием разных внешних условий. Они проявляют стойкость ко многим факторам.